نسل بعدی مموری های 100IBM برابر سریعتر از فلش های امروزی

نسل بعدی مموری های ۱۰۰IBM برابر سریعتر از فلش های امروزی

حافظه فاز متغییر IBM سریعتر از فلش و قابل اعتمادتر از رم است. IBM یک روش کاربردی تر برای استفاده از حافظه فاز متغییر اختراع کرده است که می تواند به انتقال دستگاه های الکترونیکی از رم و فلش استاندارد به دستگاه ذخیره سازی قابل اعتمادتر و سریعتر کمک می کند.

سریعترین حافظه فاز متغییر IBM

IBM Phase Change Memory Breakthrough Ram Flash Storage

محتوای این پست بروزرسانی شده است.

حافظه فاز متغییر یا PCM یک نوع دستگاه ذخیره سازی اپتیکال است که با دستکاری رفتار شیشه کار می کند که نحوه ذخیره اطلاعات روی دیسک های بلو ری قابل رایت را ایجاد می کند. یک جریان الکتریکی برای تغییر سلول های PCM از آمورف به ساختار بلوری اعمال می شود که به شما این امکان را می دهد هر دو وضعیت ۰ و ۱ را ذخیره کنید این در حالی است که با استفاده از ولتاژ پایین می توانید اطلاعات را بخوانید.

هاریز پوزیدیس، مدیر تحقیقاتی IBM در بیانیه ای نوشت : در گذشته مشکل این بود که PCM محدودیت ظرفیت داشت و هزینه بر بود، شما تنها در هر سلول یک بیت اطلاعات را می توانستید ذخیره کنید. این باعث می شد برنامه های حافظه اصلی مانند دستگاه ذخیره سازی تلفن و لپ تاپ کمتر کاربردی باشند. با این حال محققان IBM متوجه شدند که با افزیش دما و واکنش کریستال ها می توان در هر سلول ۳ بیت اطلاعات ذخیره کرد. به دلیل این نوع ذخیره سازی هزینه PCM به میزان قابل توجهی کمتر از DRAM و نزدیک به فلش خواهد بود.

سریعترین مموری فاز متغییر IBM

IBM می گوید که رنج برنامه های کاربردی از جایگزین رم در کامپیوترهای دسکتاپ تا استفاده از ترکیب PCM و حافظه فلش به منظور افزایش قابل توجه سرعت در دستگاه های تلفن همراه می باشد. به عنوان مثال سیستم عامل تلفن همراه را می توان در PCM ذخیره کرد و تلفن را در عرض چند ثانیه راه اندازی کرد. در فضای سازمانی، کل پایگاه داده می تواند در PCM ذخیره شود و در نتیجه پرس و جو و تراکنش های مالی سریعتر انجام شوند.

حتی برنامه های کاربردی هوش مصنوعی مبتنی بر ابر هم می توانند از PCM بهره ببرند. الگوریتم های یادگیری ماشینی که از مجموعه داده های بزرگ استفاده می کنند می توانند هنگام خواندن داده ها افزایش سرعت داشته باشند. در مقایسه با فلش ( که می تواند حدود ۱۰ سیکل نوشتاری را پشت سر بگذرد) PCM می تواند ۱۰ میلیون سیکل را پشت سر بگذارد و این فناوری به طور بالقوه مراکز داده را تغییر می دهد.


PCM یا فناوری تغییر فاز حافظه ،یک فرم جدیدی از فناوری است که از فلش های امروزی سریعتر، کوچکتر و دارای چیپست های حافظه متراکم تری هستند و قرار است در طی زمان مشخص جایگزین فلش های امروزی شوند. در حال حاضر کمپانی IBM به ساخت “PCM data transfer instantaneous” که ۱۰۰ برابر از فلش های امروزی سریعتر است نزدیک شده است. دانشمندان IBM در زوریخ به پیشرفت های جدیدی برای حل ۲ مشکل اساسی در معماری چیپست های PCM دست یافته اند .

PCM ها از یک آلیاژ مخصوص استفاده میکنند که می تواند حالت فیزیکی خود را همراه با اعمال ولتاژ از مقاومت سطح پایین کریستالی به فاز مقاومت سطح بالا غیر کریستالی تغییر دهند. وقتی که مقاومت این تراشه بالا میرود میتواند براحتی چندین بیت از داده ها را ذخیره کند واین در حالی است که فلش های امروزی فقط از عهده ذخیره سازی یک بیت بر می آیند .همه اینها همراه باخاصیت Write Latency، ده میکرو ثانیه باعث میشوند اجرای PCM ها ۱۰۰برابر بهتر از فلش های امروزی باشند.

در آخر پیشنهاد می کنیم از ۷ روش افزایش سرعت انتقال اطلاعات از فلش مموری و هارد اکسترنال USB استفاده کنید.

نظرات و پیشنهادات شما؟

لطفا در بخش دیدگاه این پست، نظرات و پیشنهادات خود را در مورد فناوری PCM بیان کنید.

بازی زولا

مطالب مرتبط

انزل وب
لپ تاپ های جدید در بازار ایران – سری۱۶
انزل وب
لپ تاپ های جدید در بازار ایران – سری۱۵
انزل وب
لپ تاپ های جدید در بازار ایران – سری۱۴
انزل وب
لپ تاپ های جدید در بازار ایران – سری۱۳

نظرات

تبلیغات متنی